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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 850mA（Ta） 540mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：BSH103,215
  仓库库存编号：1727-4319-1-ND
  别名：1727-4319-1
  568-5013-1
  568-5013-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 900mA 450mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：DMP2200UDW-7
  仓库库存编号：DMP2200UDW-7DICT-ND
  别名：DMP2200UDW-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 1W（Ta） TUMT5
  
  型号：US5U38TR
  仓库库存编号：US5U38CT-ND
  别名：US5U38CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 0.5A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ950UPEYL
  仓库库存编号：1727-2324-2-ND
  别名：1727-2324-2
  568-12610-2
  568-12610-2-ND
  934068445315
  PMZ950UPEYL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ950UPEYL
  仓库库存编号：1727-2324-1-ND
  别名：1727-2324-1
  568-12610-1
  568-12610-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ950UPEYL
  仓库库存编号：1727-2324-6-ND
  别名：1727-2324-6
  568-12610-6
  568-12610-6-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 500mA 265mW Surface Mount DFN1010B-6
  
  型号：PMDXB950UPEZ
  仓库库存编号：1727-2279-1-ND
  别名：1727-2279-1
  568-12565-1
  568-12565-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V XQFN3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB950UPEYL
  仓库库存编号：1727-2333-1-ND
  别名：1727-2333-1
  568-12619-1
  568-12619-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 30V 3A MIDDLE POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3A（Ta） 1W（Tc） TSMT3
  
  型号：RQ5E030AJTCL
  仓库库存编号：RQ5E030AJTCLCT-ND
  别名：RQ5E030AJTCLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1A 1W Surface Mount TUMT6
  
  型号：US6J2TR
  仓库库存编号：US6J2CT-ND
  别名：US6J2CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 800mW（Ta） TUMT3
  
  型号：RTF010P02TL
  仓库库存编号：RTF010P02TLCT-ND
  别名：RTF010P02TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 500mA 380mW Surface Mount DFN1010B-6
  
  型号：PMDXB950UPELZ
  仓库库存编号：1727-2601-1-ND
  别名：1727-2601-1
  568-13060-1
  568-13060-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416
  详细描述：表面贴装 P 沟道 760mA（Tj） 301mW（Tj） SC-75，SOT-416
  
  型号：NTA4151PT1G
  仓库库存编号：NTA4151PT1GOSCT-ND
  别名：NTA4151PT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 760mA（Tj） 313mW（Tj） SC-89-3
  
  型号：NTE4151PT1G
  仓库库存编号：NTE4151PT1GOSCT-ND
  别名：NTE4151PT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ950UPELYL
  仓库库存编号：1727-2599-1-ND
  别名：1727-2599-1
  568-13058-1
  568-13058-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.76A SC75
  详细描述：表面贴装 P 沟道 760mA（Tj） 301mW（Tj） SC-75，SOT-416
  
  型号：NTA4151PT1H
  仓库库存编号：NTA4151PT1H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 1W（Ta） 3-CPH
  
  型号：CPH3461-TL-W
  仓库库存编号：CPH3461-TL-W-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1A WEMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
  
  型号：ES6U42T2R
  仓库库存编号：ES6U42T2R-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 500mA 265mW Surface Mount 6-DFN (1.1x1)
  
  型号：PMDXB950UPE
  仓库库存编号：1727-1471-1-ND
  别名：1727-1471-1
  568-10942-1
  568-10942-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 0.6A SOT89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 3.5W（Tc） SOT-89/PCP-1
  
  型号：PCP1405-TD-H
  仓库库存编号：PCP1405-TD-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 1W（Ta） TUMT5
  
  型号：US5U30TR
  仓库库存编号：US5U30TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.1A 500mW Surface Mount PG-TSOP-6-1
  
  型号：BSL207NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSL207NH6327XTSA1-ND
  别名：SP001100648
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 760mA（Tj） 301mW（Tj） SC-75，SOT-416
  
  型号：NTA4151PT1
  仓库库存编号：NTA4151PT1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.2A 800mW Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
  
  型号：CSD75301W1015
  仓库库存编号：296-24261-1-ND
  别名：296-24261-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 350mA（Ta） 1W（Ta） 3-CPH
  
  型号：CPH3461-TL-H
  仓库库存编号：CPH3461-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V,
• 无铅
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