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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3L
  
  型号：AO3420
  仓库库存编号：785-1014-1-ND
  别名：785-1014-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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  无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6.5A 850mW Surface Mount SOT-26
  
  型号：DMG6968UDM-7
  仓库库存编号：DMG6968UDMDICT-ND
  别名：DMG6968UDMDICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8A 1.3W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：DMG9926USD-13
  仓库库存编号：DMG9926USD-13DICT-ND
  别名：DMG9926USD-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR202N L6327
  仓库库存编号：BSR202N L6327CT-ND
  别名：BSR202N L6327CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6.1A 920mW Surface Mount U-DFN3030-8
  
  型号：DMG8601UFG-7
  仓库库存编号：DMG8601UFG-7DICT-ND
  别名：DMG8601UFG-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.4A 780mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：DMN2019UTS-13
  仓库库存编号：DMN2019UTS-13DICT-ND
  别名：DMN2019UTS-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 1.3W（Ta） 4-WLCSP（0.80x0.80）
  
  型号：FDZ661PZ
  仓库库存编号：FDZ661PZCT-ND
  别名：FDZ661PZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRLMS6702TRPBF
  仓库库存编号：IRLMS6702PBFCT-ND
  别名：*IRLMS6702TRPBF
  IRLMS6702PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Tc） 2W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3446CX6 RKG
  仓库库存编号：TSM3446CX6 RKGTR-ND
  别名：TSM3446CX6 RFG
  TSM3446CX6 RFGTR
  TSM3446CX6 RFGTR-ND
  TSM3446CX6 RKGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Tc） 2W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3446CX6 RKG
  仓库库存编号：TSM3446CX6 RKGCT-ND
  别名：TSM3446CX6 RFGCT
  TSM3446CX6 RFGCT-ND
  TSM3446CX6 RKGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Tc） 2W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3446CX6 RKG
  仓库库存编号：TSM3446CX6 RKGDKR-ND
  别名：TSM3446CX6 RFGDKR
  TSM3446CX6 RFGDKR-ND
  TSM3446CX6 RKGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.6W（Ta） EFCP1515-4CC-037
  
  型号：EFC4615R-TR
  仓库库存编号：EFC4615R-TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：DMG6968UTS-13
  仓库库存编号：DMG6968UTS-13DI-ND
  别名：DMG6968UTS-13DI
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.6A（Ta），34A（Tc） 810mW（Ta），22.3W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4929NTWG
  仓库库存编号：NTTFS4929NTWG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.6A（Ta），34A（Tc） 810mW（Ta），22.3W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4929NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4929NTAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel 7.5A (Ta) Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMNH4026SSD-13
  仓库库存编号：DMNH4026SSD-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel 7.5A (Ta) Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMNH4026SSDQ-13
  仓库库存编号：DMNH4026SSDQ-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.6A（Tc） 1.75W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN49EN,135
  仓库库存编号：568-7424-1-ND
  别名：568-7424-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 1.52A（Ta） 417mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：BSH207,135
  仓库库存编号：568-11041-1-ND
  别名：568-11041-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 1.52A（Ta） 417mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：BSH207,135
  仓库库存编号：568-11041-6-ND
  别名：568-11041-6
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.4A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（SOT23-6）
  
  型号：IRLMS6702TR
  仓库库存编号：IRLMS6702CT-ND
  别名：*IRLMS6702TR
  IRLMS6702
  IRLMS6702CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.8nC @ 4.5V,
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