规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.6nC @ 4.5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Ta) 625mW(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJS3151PT1G
仓库库存编号:
NTJS3151PT1GOSCT-ND
别名:NTJS3151PT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.6nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 4.5A MCPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.5A(Ta) 1.5W(Ta) SC-88FL/ MCPH6
型号:
MCH6342-TL-W
仓库库存编号:
MCH6342-TL-WOSCT-ND
别名:MCH6342-TL-WOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.6nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.7A(Ta) 485mW(Ta),6.25W(Tc) DFN2020-6
型号:
PMFPB8032XP,115
仓库库存编号:
1727-1351-1-ND
别名:1727-1351-1
568-10788-1
568-10788-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.6nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 1.1W Surface Mount ChipFET?
型号:
NTHD4102PT1G
仓库库存编号:
NTHD4102PT1GOSCT-ND
别名:NTHD4102PT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.6nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 10A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),18A(Tc) 3.1W(Ta),11W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7408
仓库库存编号:
785-1307-1-ND
别名:785-1307-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.6nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.7A 485mW Surface Mount DFN2020-6
型号:
PMDPB80XP,115
仓库库存编号:
1727-1331-1-ND
别名:1727-1331-1
568-10763-1
568-10763-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.6nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 4.5A MCPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Ta) 1.5W(Ta) 6-MCPH
型号:
MCH6342-TL-H
仓库库存编号:
MCH6342-TL-H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.6nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 2.7A(Ta) 625mW(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJS3151PT2
仓库库存编号:
NTJS3151PT2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.6nC @ 4.5V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.7A(Ta) 485mW(Ta),6.25W(Tc) DFN2020-6
型号:
PMFPB8040XP,115
仓库库存编号:
1727-1352-1-ND
别名:1727-1352-1
568-10789-1
568-10789-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.6nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A, 11A 1.5W, 2.4W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF8513TRPBF
仓库库存编号:
IRF8513TRPBFCT-ND
别名:IRF8513TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.6nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 12V 6.3A, 3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7338TRPBF
仓库库存编号:
IRF7338TRPBFCT-ND
别名:IRF7338TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.6nC @ 4.5V,
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