规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(14)
分立半导体产品
(14)
筛选品牌
Infineon Technologies (4)
Nexperia USA Inc. (2)
NXP USA Inc. (1)
Panasonic Electronic Components (1)
Rohm Semiconductor (5)
Texas Instruments (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.05A(Ta) 417mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
BSH105,215
仓库库存编号:
1727-4924-1-ND
别名:1727-4924-1
568-6215-1
568-6215-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 2A 1.25W Surface Mount TSMT5
型号:
QS5K2TR
仓库库存编号:
QS5K2CT-ND
别名:QS5K2CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2402TRPBF
仓库库存编号:
IRLML2402PBFCT-ND
别名:*IRLML2402TRPBF
IRLML2402PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 290mW(Ta),1.67W(Tc) SOT-323-3
型号:
PMF170XP,115
仓库库存编号:
1727-1229-1-ND
别名:1727-1229-1
568-10415-1
568-10415-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2402GTRPBF
仓库库存编号:
IRLML2402GTRPBFCT-ND
别名:IRLML2402GTRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML0040TRPBF
仓库库存编号:
IRLML0040TRPBFCT-ND
别名:IRLML0040TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT5
型号:
QS5U13TR
仓库库存编号:
QS5U13CT-ND
别名:QS5U13CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 900mW(Ta) TSMT5
型号:
QS5U17TR
仓库库存编号:
QS5U17CT-ND
别名:QS5U17CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 7A 8HSSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),18A(Tc) 2W(Ta),13W(Tc) 8-HSSO
型号:
SK830321KL
仓库库存编号:
P16262CT-ND
别名:P16262CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT5
型号:
QS5U12TR
仓库库存编号:
QS5U12CT-ND
别名:QS5U12CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 900mW(Ta) TSMT5
型号:
QS5U16TR
仓库库存编号:
QS5U16TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 3A 700mW Surface Mount 9-DSBGA
型号:
CSD75204W15
仓库库存编号:
296-25334-1-ND
别名:296-25334-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.2A(Ta) 310mW(Ta),2.17W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV65UN,215
仓库库存编号:
568-10837-1-ND
别名:568-10837-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.2A(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2402TR
仓库库存编号:
IRLML2402CT-ND
别名:*IRLML2402TR
IRLML2402
IRLML2402-ND
IRLML2402CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V,
含铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号