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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2304BDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2304BDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2304BDS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2304BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2304BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2304BDS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：FDG315N
  仓库库存编号：FDG315NCT-ND
  别名：FDG315NCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6961A
  仓库库存编号：FDS6961ACT-ND
  别名：FDS6961ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SH8K12TB1
  仓库库存编号：SH8K12TB1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SH8M12TB1
  仓库库存编号：SH8M12TB1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.4A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.4A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
  
  型号：BSL296SNH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSL296SNH6327XTSA1-ND
  别名：SP000942912
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.85A SSOT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 850mA（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：NDS352P
  仓库库存编号：NDS352PCT-ND
  别名：NDS352PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.8A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN361AN
  仓库库存编号：FDN361AN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Tc） 15W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD6632
  仓库库存编号：FDD6632-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6961A_F011
  仓库库存编号：FDS6961A_F011-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 6.5A（Tc） 1.25W（Ta），20W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD06N10-225L-E3
  仓库库存编号：SUD06N10-225L-E3CT-ND
  别名：SUD06N10-225L-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 5A MPT6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 2W Surface Mount MPT6
  
  型号：MP6K12TCR
  仓库库存编号：MP6K12TCRCT-ND
  别名：MP6K12TCRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A 2W Surface Mount MPT6
  
  型号：MP6M12TCR
  仓库库存编号：MP6M12TCRCT-ND
  别名：MP6M12TCRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 6.5A（Tc） 1.25W（Ta），16.7W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SUD06N10-225L-GE3
  仓库库存编号：SUD06N10-225L-GE3CT-ND
  别名：SUD06N10-225L-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4nC @ 5V,
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