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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK180N10
仓库库存编号:
IXFK180N10-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 390nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 170A(Tc) 580W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS3810PBF
仓库库存编号:
IRFPS3810PBF-ND
别名:*IRFPS3810PBF
SP001566934
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 390nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 180A(Tc) 560W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX180N10
仓库库存编号:
IXFX180N10-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 390nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 110A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 110A(Tc) 730W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK110N30
仓库库存编号:
IXTK110N30-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 390nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 39A(Tc) 694W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN39N90
仓库库存编号:
IXFN39N90-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 390nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 105A(Tc) 441W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS3815PBF
仓库库存编号:
IRFPS3815PBF-ND
别名:*IRFPS3815PBF
SP001556840
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 390nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 24V 180A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 24V 180A(Tc) 380W(Tc) TO-247AD
型号:
AUIRFP2602
仓库库存编号:
AUIRFP2602-ND
别名:SP001522246
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 390nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-263
型号:
NP110N04PUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP110N04PUG-E1-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 390nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 180A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-263-7
型号:
NP180N04TUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP180N04TUG-E1-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 390nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 170A(Tc) 580W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS3810
仓库库存编号:
IRFPS3810-ND
别名:*IRFPS3810
Q1244033
SP001560530
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 390nC @ 10V,
含铅
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