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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V SOT363
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 700mA, 500mA 340mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：SI1539CDL-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1539CDL-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1539CDL-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 60V SSOT6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 510mA, 340mA 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
  
  型号：NDC7001C
  仓库库存编号：NDC7001CCT-ND
  别名：NDC7001CCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS84PH6433XTMA1
  仓库库存编号：BSS84PH6433XTMA1CT-ND
  别名：BSS84PH6433XTMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS84PH6327XTSA2
  仓库库存编号：BSS84PH6327XTSA2CT-ND
  别名：BSS84PH6327XTSA2CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150mA（Ta） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS84PWH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS84PWH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS84PWH6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：SN7002NH6327XTSA2
  仓库库存编号：SN7002NH6327XTSA2CT-ND
  别名：SN7002NH6327XTSA2CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS138WH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS138WH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS138WH6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：SN7002WH6327XTSA1
  仓库库存编号：SN7002WH6327XTSA1CT-ND
  别名：SN7002WH6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS7728NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS7728NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS7728N H6327CT
  BSS7728N H6327CT-ND
  BSS7728NH6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 2.3A, 2A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL308CH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSL308CH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSL308CH6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：SN7002NH6327XTSA1
  仓库库存编号：SN7002NH6327XTSA1CT-ND
  别名：SN7002NH6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V .04A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40mA（Ta） 1.39W（Ta） SOT-23-3
  
  型号：AO3160
  仓库库存编号：AO3160-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：SN7002NH6433XTMA1
  仓库库存编号：SN7002NH6433XTMA1-ND
  别名：SP000924072
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS138WH6433XTMA1
  仓库库存编号：BSS138WH6433XTMA1-ND
  别名：SP000917558
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS7728NH6327XTSA2
  仓库库存编号：BSS7728NH6327XTSA2-ND
  别名：SP000929184
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：SN7002N L6327
  仓库库存编号：SN7002NL6327INCT-ND
  别名：SN7002NL6327
  SN7002NL6327INCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 420MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 420mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：TN0201K-T1-E3
  仓库库存编号：TN0201K-T1-E3CT-ND
  别名：TN0201K-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS84P-E6327
  仓库库存编号：BSS84PINCT-ND
  别名：BSS84PE6327
  BSS84PINCT
  BSS84PXTINCT
  BSS84PXTINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS138W E6433
  仓库库存编号：BSS138W E6433-ND
  别名：BSS138WE6433
  SP000014284
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS84P E6433
  仓库库存编号：BSS84P E6433-ND
  别名：BSS84PE6433XT
  SP000012323
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：SN7002N E6327
  仓库库存编号：SN7002N E6327-ND
  别名：SN7002NE6327XT
  SP000014634
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：SN7002N E6433
  仓库库存编号：SN7002N E6433-ND
  别名：SN7002NE6433XT
  SP000014635
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：SN7002W E6433
  仓库库存编号：SN7002W E6433-ND
  别名：SN7002WE6433
  SP000014286
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS138W E6327
  仓库库存编号：BSS138WE6327INCT-ND
  别名：BSS138WE6327
  BSS138WE6327INCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS7728N
  仓库库存编号：BSS7728NINCT-ND
  别名：BSS7728NINCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.5nC @ 10V,
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