以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMP3130L-7
  仓库库存编号：DMP3130LDICT-ND
  别名：DMP3130LDICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 56W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN014-40YS,115
  仓库库存编号：1727-4624-1-ND
  别名：1727-4624-1
  568-5578-1
  568-5578-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 5A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta），12.5A（Tc） 3.1W（Ta），20.8W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7296
  仓库库存编号：785-1731-1-ND
  别名：785-1731-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA906EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA906EDJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA906EDJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 56.8W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD3N60
  仓库库存编号：785-1181-1-ND
  别名：785-1181-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.2W（Ta），15.6W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS412DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS412DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS412DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.9A（Tc） 2W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3459BDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3459BDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3459BDV-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.9A（Ta） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4128DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4128DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4128DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 8A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4882
  仓库库存编号：785-1317-1-ND
  别名：785-1317-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
  
  型号：IRFL9014TRPBF
  仓库库存编号：IRFL9014PBFCT-ND
  别名：*IRFL9014TRPBF
  IRFL9014PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 530mA（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2325DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2325DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2325DS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 530mA（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2325DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2325DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2325DS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.17A（Tc） 3.2W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7117DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7117DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7117DN-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 8W（Tc） SOT-223
  
  型号：BUK7880-55A/CUX
  仓库库存编号：1727-2222-1-ND
  别名：1727-2222-1
  568-12490-1
  568-12490-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.1W（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN5632N_F085
  仓库库存编号：FDN5632N_F085CT-ND
  别名：FDN5632N_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 3W（Tc）
  
  型号：SQ2362ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2362ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2362ES-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 40V SO23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2389ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2389ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2389ES-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4178DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4178DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4178DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.7A, 2A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7509TRPBF
  仓库库存编号：IRF7509TRPBFCT-ND
  别名：IRF7509TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.4A, 4.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS8958B
  仓库库存编号：FDS8958BCT-ND
  别名：FDS8958BCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），57A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC052N03LS
  仓库库存编号：BSC052N03LSCT-ND
  别名：BSC052N03LSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014TRPBF
  仓库库存编号：IRFR9014PBFCT-ND
  别名：*IRFR9014TRPBF
  IRFR9014PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR310TRPBF
  仓库库存编号：IRFR310PBFCT-ND
  别名：*IRFR310TRPBF
  IRFR310PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N60CTM
  仓库库存编号：FQD2N60CTMCT-ND
  别名：FQD2N60CTMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），10A（Tc） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA8878
  仓库库存编号：FDMA8878CT-ND
  别名：FDMA8878CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索