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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.7A(Tc) 74W(Tc) I-Pak
型号:
NDD60N900U1-35G
仓库库存编号:
NDD60N900U1-35G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 5.5A, 6.3A 800mW, 810mW Surface Mount 8-WDFN (3x3)
型号:
NTLLD4951NFTWG
仓库库存编号:
NTLLD4951NFTWG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1.9A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N60CTF
仓库库存编号:
FQD2N60CTF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1.9A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N60CTF_F080
仓库库存编号:
FQD2N60CTF_F080-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.6A(Tc) 61W(Tc) I-Pak
型号:
NDD03N60Z-1G
仓库库存编号:
NDD03N60Z-1GOS-ND
别名:NDD03N60Z-1G-ND
NDD03N60Z-1GOS
NDD03N60Z1G
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A 8SOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 8A, 6A 2.5W Surface Mount 8-SOP
型号:
FW906-TL-E
仓库库存编号:
FW906-TL-E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 19A TP
详细描述:通孔 P 沟道 40V 19A(Ta) 1W(Ta),23W(Tc) TP
型号:
SFT1350-H
仓库库存编号:
SFT1350-H-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 19A TP-FA
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 19A(Ta) 1W(Ta),23W(Tc) TP-FA
型号:
SFT1350-TL-H
仓库库存编号:
SFT1350-TL-HOSCT-ND
别名:SFT1350-TL-HOSCT
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