品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 20W(Tc) PW-MOLD
型号:
2SK2231(TE16R1,NQ)
仓库库存编号:
2SK2231TE16RQCT-ND
别名:2SK2231TE16RQCT
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 700mW(Ta),18W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN22006NH,LQ
仓库库存编号:
TPN22006NHLQCT-ND
别名:TPN22006NHLQCT
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 100W(Tc) D-Pak
型号:
TK6P53D(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK6P53D(T6RSS-Q)-ND
别名:TK6P53DT6RSSQ
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 100W(Tc) D-Pak
型号:
TK7P50D(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK7P50D(T6RSS-Q)-ND
别名:TK7P50DT6RSSQ
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Ta) 60W(Tc) DPAK
型号:
TK6P60W,RVQ
仓库库存编号:
TK6P60WRVQCT-ND
别名:TK6P60WRVQCT
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 5.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A55DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A55DA(STA4QM)-ND
别名:TK6A55DA(STA4QM)
TK6A55DASTA4QM
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 6A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A53D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A53D(STA4QM)-ND
别名:TK6A53D(STA4QM)
TK6A53DSTA4QM
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 7A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK7A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK7A50D(STA4QM)-ND
别名:TK7A50D(STA4QM)
TK7A50DSTA4QM
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Ta) 60W(Tc) I-Pak
型号:
TK6Q60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK6Q60WS1VQ-ND
别名:TK6Q60W,S1VQ(S
TK6Q60WS1VQ
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
2SK3566(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
2SK3566(STA4QM)-ND
别名:2SK3566(Q)
2SK3566(STA4QM)
2SK3566Q
2SK3566Q-ND
2SK3566STA4QM
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A60W,S4VX
仓库库存编号:
TK6A60WS4VX-ND
别名:TK6A60W,S4VX(M
TK6A60WS4VX
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 3A(Ta) 20W(Tc) PW-MOLD
型号:
2SK3462(TE16L1,NQ)
仓库库存编号:
2SK3462(TE16L1,NQ)-ND
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK4A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK4A60D(STA4QM)-ND
别名:TK4A60D(Q)
TK4A60D(Q)-ND
TK4A60D(STA4QM)
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 3.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK4A65DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK4A65DA(STA4QM)-ND
别名:TK4A65DA(STA4QM)
TK4A65DASTA4QM
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 6.1A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6010-H(TE85L,FM
仓库库存编号:
TPC6010-H(TE85LFM-ND
别名:TPC6010-H(TE85LFM
TPC6010HTE85LFM
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP
型号:
TPC8221-H,LQ(S
仓库库存编号:
TPC8221-HLQ(S-ND
别名:TPC8221-HLQ(S
TPC8221HLQS
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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