品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA906EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA906EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA906EDJ-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.2W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS412DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS412DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS412DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3459BDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3459BDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3459BDV-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.9A(Ta) 2.4W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4128DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4128DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4128DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL9014TRPBF
仓库库存编号:
IRFL9014PBFCT-ND
别名:*IRFL9014TRPBF
IRFL9014PBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 530mA(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2325DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2325DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2325DS-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 530mA(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2325DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2325DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2325DS-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.17A(Tc) 3.2W(Ta),12.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7117DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7117DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7117DN-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 3W(Tc)
型号:
SQ2362ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2362ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2362ES-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 40V SO23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2389ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2389ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2389ES-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 2.4W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4178DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4178DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4178DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9014PBFCT-ND
别名:*IRFR9014TRPBF
IRFR9014PBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR310TRPBF
仓库库存编号:
IRFR310PBFCT-ND
别名:*IRFR310TRPBF
IRFR310PBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 1.1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9014PBF
仓库库存编号:
IRFD9014PBF-ND
别名:*IRFD9014PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 6.7A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z14PBF
仓库库存编号:
IRF9Z14PBF-ND
别名:*IRF9Z14PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.7A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z14SPBF
仓库库存编号:
IRF9Z14SPBF-ND
别名:*IRF9Z14SPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9014PBF
仓库库存编号:
IRFU9014PBF-ND
别名:*IRFU9014PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU310PBF
仓库库存编号:
IRFU310PBF-ND
别名:*IRFU310PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 6.7A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z10PBF
仓库库存编号:
IRF9Z10PBF-ND
别名:*IRF9Z10PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA922EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA922EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA922EDJ-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Tc) 2.8W(Tc) SOT-363
型号:
SI1416EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1416EDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1416EDH-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.3W(Ta),5.7W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5468DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5468DC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5468DC-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Tc) 2W(Tc)
型号:
SQ2361ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2361ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2361ES-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA519EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA519EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA519EDJ-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Tc) 1.7W(Ta),2.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4823DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4823DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4823DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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