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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 30.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M004A060FG
  仓库库存编号：GP2M004A060FG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 86.2W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M004A060HG
  仓库库存编号：GP2M004A060HG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 3.4A, 2.3A 1.15W Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：AO6601_001
  仓库库存编号：AO6601_001-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 9.5A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.5A（Ta），24A（Tc） 3.1W（Ta），20W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7410L_101
  仓库库存编号：AON7410L_101-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.5A（Tc） 56.8W（Tc） TO-251-3
  
  型号：AOU3N60_001
  仓库库存编号：AOU3N60_001-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 40V 19A TP-FA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 19A（Ta） 1W（Ta），23W（Tc） TP-FA
  
  型号：SFT1350-TL-H
  仓库库存编号：SFT1350-TL-HOSCT-ND
  别名：SFT1350-TL-HOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF9953
  仓库库存编号：IRF9953-ND
  别名：*IRF9953
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.4A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7503TR
  仓库库存编号：IRF7503CT-ND
  别名：*IRF7503TR
  IRF7503
  IRF7503CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.7A, 2A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7509TR
  仓库库存编号：IRF7509CT-ND
  别名：*IRF7509TR
  IRF7509
  IRF7509CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7523D1
  仓库库存编号：IRF7523D1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF9953TR
  仓库库存编号：IRF9953TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.7A（Ta） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3103
  仓库库存编号：IRFR3103-ND
  别名：*IRFR3103
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.7A（Ta） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3103TRL
  仓库库存编号：IRFR3103TRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.7A（Ta） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3103TR
  仓库库存编号：IRFR3103TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.7A（Ta） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3103TRR
  仓库库存编号：IRFR3103TRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014N
  仓库库存编号：IRFR9014N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7523D1TR
  仓库库存编号：IRF7523D1TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU9014N
  仓库库存编号：IRFU9014N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP320S E6327
  仓库库存编号：BSP320S E6327-ND
  别名：BSP320SE6327T
  SP000011115
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP320S E6433
  仓库库存编号：BSP320S E6433-ND
  别名：BSP320SE6433T
  SP000011116
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7523D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7523D1TRPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.98A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 980mA（Tc） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP321PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP321PL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSP321P L6327
  BSP321P L6327-ND
  SP000212228
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 7.2A（Ta），15A（Tc） 2.1W（Ta），9.6W（Tc） 6-PQFN（2x2）
  
  型号：IRLHS2242TR2PBF
  仓库库存编号：IRLHS2242TR2PBFCT-ND
  别名：IRLHS2242TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP320SL6433HTMA1
  仓库库存编号：BSP320SL6433HTMA1CT-ND
  别名：BSP320S L6433CT
  BSP320S L6433CT-ND
  BSP320SL6433
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD530N15N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD530N15N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD530N15N3 GCT
  IPD530N15N3 GCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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