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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 57W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ520N15NS3 G
  仓库库存编号：BSZ520N15NS3 GCT-ND
  别名：BSZ520N15NS3 GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 1.1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9014PBF
  仓库库存编号：IRFD9014PBF-ND
  别名：*IRFD9014PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z14PBF
  仓库库存编号：IRF9Z14PBF-ND
  别名：*IRF9Z14PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.2W（Ta） SOT-89
  
  型号：CXDM4060N TR
  仓库库存编号：CXDM4060N CT-ND
  别名：CXDM4060N CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600P6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600P6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R600P6ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 62W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD5N50NZTM
  仓库库存编号：FDD5N50NZTMCT-ND
  别名：FDD5N50NZTMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Tc） 56.8W（Tc） 8-ThinPak（5x6）
  
  型号：IPL60R650P6SATMA1
  仓库库存编号：IPL60R650P6SATMA1CT-ND
  别名：IPL60R650P6SATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z14SPBF
  仓库库存编号：IRF9Z14SPBF-ND
  别名：*IRF9Z14SPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 78W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP5N50NZ
  仓库库存编号：FDP5N50NZ-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP530N15N3 G
  仓库库存编号：IPP530N15N3 G-ND
  别名：IPP530N15N3G
  IPP530N15N3GXKSA1
  SP000521722
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF9953TRPBF
  仓库库存编号：IRF9953PBFCT-ND
  别名：*IRF9953TRPBF
  IRF9953PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD7LN80K5
  仓库库存编号：497-16491-1-ND
  别名：497-16491-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 85W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU7LN80K5
  仓库库存编号：497-16498-5-ND
  别名：497-16498-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI7LN80K5
  仓库库存编号：497-16494-5-ND
  别名：497-16494-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 7A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 25W（Tc）
  
  型号：STFI9N80K5
  仓库库存编号：497-16495-5-ND
  别名：497-16495-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM4NC50CP ROG
  仓库库存编号：TSM4NC50CP ROGTR-ND
  别名：TSM4NC50CP ROGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM4NC50CP ROG
  仓库库存编号：TSM4NC50CP ROGCT-ND
  别名：TSM4NC50CP ROGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM4NC50CP ROG
  仓库库存编号：TSM4NC50CP ROGDKR-ND
  别名：TSM4NC50CP ROGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 600V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU2LN60K3
  仓库库存编号：497-13393-5-ND
  别名：497-13393-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD4NK50Z-1
  仓库库存编号：497-12559-5-ND
  别名：497-12559-5
  STD4NK50Z-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9014PBF
  仓库库存编号：IRFU9014PBF-ND
  别名：*IRFU9014PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU310PBF
  仓库库存编号：IRFU310PBF-ND
  别名：*IRFU310PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z10PBF
  仓库库存编号：IRF9Z10PBF-ND
  别名：*IRF9Z10PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Tj） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP320SH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP320SH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP320SH6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13A 8PSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 3W（Ta） 8-PSOP
  
  型号：RMW130N03TB
  仓库库存编号：RMW130N03TBCT-ND
  别名：RMW130N03TBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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