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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 11A, 28A 16.7W, 31W Surface Mount 8-PowerPair?
  
  型号：SIZ300DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ300DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ300DT-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3.9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 3.9A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF5N50NZU
  仓库库存编号：FDPF5N50NZU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 42W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL7LN80K5
  仓库库存编号：497-16496-1-ND
  别名：497-16496-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGS4141NT1G
  仓库库存编号：NTGS4141NT1GOSCT-ND
  别名：NTGS4141NT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 60V 6A DFN 2x2B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
  
  型号：AON2260
  仓库库存编号：785-1391-1-ND
  别名：785-1391-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD12NF06T4
  仓库库存编号：497-3154-1-ND
  别名：497-3154-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.4A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7503TRPBF
  仓库库存编号：IRF7503TRPBFCT-ND
  别名：IRF7503TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tc） 61W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD03N60ZT4G
  仓库库存编号：NDD03N60ZT4GOSCT-ND
  别名：NDD03N60ZT4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 56.8W（Tc） TO-251-3
  
  型号：AOU3N60
  仓库库存编号：785-1182-5-ND
  别名：785-1182-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU2N60CTU
  仓库库存编号：FQU2N60CTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD20NF06LAG
  仓库库存编号：497-17143-1-ND
  别名：497-17143-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP8N65X2
  仓库库存编号：IXTP8N65X2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.6A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Tc） 2.5W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ2LN60K3-AP
  仓库库存编号：497-13391-1-ND
  别名：497-13391-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 86.2W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM4N60ECP ROG
  仓库库存编号：TSM4N60ECP ROGTR-ND
  别名：TSM4N60ECP ROGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 86.2W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM4N60ECP ROG
  仓库库存编号：TSM4N60ECP ROGCT-ND
  别名：TSM4N60ECP ROGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 86.2W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM4N60ECP ROG
  仓库库存编号：TSM4N60ECP ROGDKR-ND
  别名：TSM4N60ECP ROGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 525V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 45W（Tc） DPAK
  
  型号：STDLED524
  仓库库存编号：STDLED524-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 12A, 16A 20W, 30W Surface Mount 6-PowerPair?
  
  型号：SIZ704DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ704DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ704DT-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 525V 4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STULED524
  仓库库存编号：STULED524-ND
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP4NK50ZD
  仓库库存编号：497-5131-5-ND
  别名：497-5131-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 525V 4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 45W（Tc） TO-220
  
  型号：STPLED524
  仓库库存编号：STPLED524-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 525V 4A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 20W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFILED524
  仓库库存编号：STFILED524-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD9N80K5
  仓库库存编号：STD9N80K5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 86.2W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM4N60ECH C5G
  仓库库存编号：TSM4N60ECH C5G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP9N80K5
  仓库库存编号：STP9N80K5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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