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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 7A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 110W（Tc） TO-247
  
  型号：STW9N80K5
  仓库库存编号：STW9N80K5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 2.5W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：AO6424A
  仓库库存编号：AO6424A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 15.6W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS822DNT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS822DNT-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 1.7A SC70-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 350mW（Ta） SC-70-3
  
  型号：AO7410
  仓库库存编号：AO7410-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 3.4A, 2.3A 1.15W Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：AO6601
  仓库库存编号：785-1076-2-ND
  别名：785-1076-2
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
  
  型号：AON2240
  仓库库存编号：785-1390-1-ND
  别名：785-1390-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 8A 6LDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
  
  型号：AON2420
  仓库库存编号：785-1492-1-ND
  别名：785-1492-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 1.95W（Ta），10W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
  
  型号：SIB406EDK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB406EDK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB406EDK-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.3A（Tc） 1.1W（Ta），1.4W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3805DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3805DV-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 1.7W（Ta），3.1W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5913DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5913DC-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2.4W（Ta），11.4W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA438EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA438EDJ-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 100V 4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4892
  仓库库存编号：AO4892-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4200DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4200DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.9A（Ta） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4128DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4128DY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 1.7W（Ta），2.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4823DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4823DY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4178DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4178DY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NVGS4141NT1G
  仓库库存编号：NVGS4141NT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 8A, 7A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4618
  仓库库存编号：785-1540-1-ND
  别名：785-1540-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 69W（Tc） TO-251
  
  型号：SIHU3N50D-GE3
  仓库库存编号：SIHU3N50D-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 500V
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 69W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：SIHU3N50DA-GE3
  仓库库存编号：SIHU3N50DA-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 69W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHD3N50D-GE3
  仓库库存编号：SIHD3N50D-GE3-ND
  别名：SIHD3N50D-GE3CT
  SIHD3N50D-GE3CT-ND
  SIHD3N50DGE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R2K8CEATMA1
  仓库库存编号：IPD80R2K8CEATMA1CT-ND
  别名：IPD80R2K8CEATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 61W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD04N50Z-1G
  仓库库存编号：NDD04N50Z-1GOS-ND
  别名：NDD04N50Z-1G-ND
  NDD04N50Z-1GOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 3.1W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS4823NWFTWG
  仓库库存编号：NVTFS4823NWFTWG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 69W（Tc） TO-251AA
  
  型号：SIHU3N50D-E3
  仓库库存编号：SIHU3N50D-E3-ND
  别名：SIHU3N50D-E3CT
  SIHU3N50D-E3CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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