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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.8A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
  
  型号：IRFL9014TR
  仓库库存编号：IRFL9014TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR310
  仓库库存编号：IRFR310-ND
  别名：*IRFR310
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR310TR
  仓库库存编号：IRFR310TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014
  仓库库存编号：IRFR9014-ND
  别名：*IRFR9014
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014TR
  仓库库存编号：IRFR9014TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014TRL
  仓库库存编号：IRFR9014TRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU310
  仓库库存编号：IRFU310-ND
  别名：*IRFU310
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9014
  仓库库存编号：IRFU9014-ND
  别名：*IRFU9014
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF9Z14L
  仓库库存编号：IRF9Z14L-ND
  别名：*IRF9Z14L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z14STRL
  仓库库存编号：IRF9Z14STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z14STRR
  仓库库存编号：IRF9Z14STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 5.3A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9Z14G
  仓库库存编号：IRFI9Z14G-ND
  别名：*IRFI9Z14G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR310TRL
  仓库库存编号：IRFR310TRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR310TRR
  仓库库存编号：IRFR310TRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014NTRL
  仓库库存编号：IRFR9014NTRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014NTR
  仓库库存编号：IRFR9014NTR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014NTRR
  仓库库存编号：IRFR9014NTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014TRR
  仓库库存编号：IRFR9014TRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N60CTF
  仓库库存编号：FQD2N60CTF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.25W（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2309DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2309DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2309DS-T1-E3CT
  SI2309DST1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 380mA（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2327DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2327DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2327DS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 5A, 4.4A 2.75W, 2.95W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4567DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4567DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4567DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 5A 2.75W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4908DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4908DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4908DY-T1-E3CT
  SI4908DYT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA513DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA513DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA513DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N60CTF_F080
  仓库库存编号：FQD2N60CTF_F080-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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