规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.9nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.3A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML6244TRPBF
仓库库存编号:
IRLML6244TRPBFCT-ND
别名:IRLML6244TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.9nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.5A(Tc) 1.8W(Tc) SOT-23
型号:
TSM320N03CX RFG
仓库库存编号:
TSM320N03CX RFGTR-ND
别名:TSM320N03CX RFGTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.9nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.5A(Tc) 1.8W(Tc) SOT-23
型号:
TSM320N03CX RFG
仓库库存编号:
TSM320N03CX RFGCT-ND
别名:TSM320N03CX RFGCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.9nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.5A(Tc) 1.8W(Tc) SOT-23
型号:
TSM320N03CX RFG
仓库库存编号:
TSM320N03CX RFGDKR-ND
别名:TSM320N03CX RFGDKR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.9nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 31A 1W Surface Mount PG-TISON-8
型号:
BSC0921NDIATMA1
仓库库存编号:
BSC0921NDIATMA1CT-ND
别名:BSC0921NDIATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.9nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 113A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),113A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD16408Q5C
仓库库存编号:
296-25647-1-ND
别名:296-25647-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.9nC @ 4.5V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),113A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD16408Q5
仓库库存编号:
296-25321-1-ND
别名:296-25321-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.9nC @ 4.5V,
含铅
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