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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS169H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS169H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS169 H6327CT
  BSS169 H6327CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.8nC @ 7V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS169H6906XTSA1
  仓库库存编号：BSS169H6906XTSA1-ND
  别名：SP000702582
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.8nC @ 7V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS169 E6327
  仓库库存编号：BSS169 E6327-ND
  别名：BSS169E6327XT
  SP000011172
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.8nC @ 7V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS169 E6906
  仓库库存编号：BSS169 E6906-ND
  别名：BSS169E6906XT
  SP000055416
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.8nC @ 7V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS169L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS169L6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS169 L6327
  BSS169 L6327-ND
  SP000247299
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.8nC @ 7V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS169L6906HTSA1
  仓库库存编号：BSS169L6906HTSA1CT-ND
  别名：BSS169 L6906CT
  BSS169 L6906CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.8nC @ 7V,
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