以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.8A（Ta） 1.2W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMP3037LSS-13
  仓库库存编号：DMP3037LSS-13DICT-ND
  别名：DMP3037LSS-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.3nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 73A LL LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 73A（Tc） 58W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN6R0-25YLB,115
  仓库库存编号：1727-6497-1-ND
  别名：1727-6497-1
  568-8529-1
  568-8529-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.3nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 66A（Tc） 44.6W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM061NA03CV RGG
  仓库库存编号：TSM061NA03CV RGGTR-ND
  别名：TSM061NA03CV RGGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.3nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 66A（Tc） 44.6W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM061NA03CV RGG
  仓库库存编号：TSM061NA03CV RGGCT-ND
  别名：TSM061NA03CV RGGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.3nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 66A（Tc） 44.6W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM061NA03CV RGG
  仓库库存编号：TSM061NA03CV RGGDKR-ND
  别名：TSM061NA03CV RGGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.3nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 44A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.3A（Ta），47A（Tc） 3W（Ta），28W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS4C10NTAG
  仓库库存编号：NVTFS4C10NTAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.3nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15.3A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.3A（Ta），47A（Tc） 3W（Ta），28W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS4C10NWFTAG
  仓库库存编号：NVTFS4C10NWFTAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.3nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索