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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 18W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R3K0CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD50R3K0CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD50R3K0CECT
  IPD50R3K0CECT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 26W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R3K0CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD50R3K0CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD50R3K0CEAUMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 18W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R3K0CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU50R3K0CEBKMA1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.3nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 2.8W（Ta）, 23W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
  
  型号：CSD19538Q3A
  仓库库存编号：296-44352-1-ND
  别名：296-44352-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.3nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 55W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY2N65X2
  仓库库存编号：IXTY2N65X2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.3nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 55W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP2N65X2
  仓库库存编号：IXTP2N65X2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.3nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1A（Ta） 470mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NVR5124PLT1G
  仓库库存编号：NVR5124PLT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 1.7A（Tc） 26W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU50R3K0CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU50R3K0CEAKMA1-ND
  别名：SP001396836
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.3nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 0.4A MP3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 400mA（Ta） 27.2W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK6024DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK6024DPD-00#J2CT-ND
  别名：RJK6024DPD-00#J2CT
  RJK6024DPD00J2
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.3nC @ 10V,
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