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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RTR040N03TL
  仓库库存编号：RTR040N03TLCT-ND
  别名：RTR040N03TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17510Q5A
  仓库库存编号：296-27792-1-ND
  别名：296-27792-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 4.2A 980mW Surface Mount SOT-26
  
  型号：DMG9926UDM-7
  仓库库存编号：DMG9926UDMDICT-ND
  别名：DMG9926UDMDICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMN2028UVT-7
  仓库库存编号：DMN2028UVT-7DICT-ND
  别名：DMN2028UVT-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Rohm Semiconductor
  NCH 30V 9.5A MIDDLE POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta） 2W（Tc） 8-SOP
  
  型号：RS3E095BNGZETB
  仓库库存编号：RS3E095BNGZETBCT-ND
  别名：RS3E095BNGZETBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
  
  型号：CSD87334Q3DT
  仓库库存编号：296-42468-1-ND
  别名：296-42468-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 4.5V,
• 含铅
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• Rohm Semiconductor
  NCH 30V 13.5A MIDDLE POWER MOSFE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta） 2W（Tc） 8-SOP
  
  型号：RS3E135BNGZETB
  仓库库存编号：RS3E135BNGZETBCT-ND
  别名：RS3E135BNGZETBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 4.5V,
• 无铅
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