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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 1W（Ta） TUMT6
  
  型号：RTL035N03TR
  仓库库存编号：RTL035N03CT-ND
  别名：RTL035N03CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RTQ035N03TR
  仓库库存编号：RTQ035N03CT-ND
  别名：RTQ035N03CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 4.5V,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.2A 1.65W Surface Mount TLM832DS
  
  型号：CTLDM304P-M832DS TR
  仓库库存编号：CTLDM304P-M832DS CT-ND
  别名：CTLDM304P-M832DS CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM650P03CX RFG
  仓库库存编号：TSM650P03CX RFGTR-ND
  别名：TSM650P03CX RFGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM650P03CX RFG
  仓库库存编号：TSM650P03CX RFGCT-ND
  别名：TSM650P03CX RFGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM650P03CX RFG
  仓库库存编号：TSM650P03CX RFGDKR-ND
  别名：TSM650P03CX RFGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RTQ025P02TR
  仓库库存编号：RTQ025P02CT-ND
  别名：RTQ025P02CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.4nC @ 4.5V,
• 无铅
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