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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.2A（Ta），73A（Tc） 1.3W（Ta），54.5W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4858NT4G
  仓库库存编号：NTD4858NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4858NT4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.2nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  PCH -20V -6A MIDDLE POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1W（Tc） TSMT3
  
  型号：RQ5C060BCTCL
  仓库库存编号：RQ5C060BCTCLCT-ND
  别名：RQ5C060BCTCLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.2nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 11.2A（Ta），73A（Tc） 1.3W（Ta），54.5W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4858N-35G
  仓库库存编号：NTD4858N-35GOS-ND
  别名：NTD4858N-35G-ND
  NTD4858N-35GOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.2nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 11.2A（Ta），73A（Tc） 1.3W（Ta），54.5W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4858N-1G
  仓库库存编号：NTD4858N-1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.2nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 11.2A（Ta），73A（Tc） 1.3W（Ta），54.5W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4858NA-1G
  仓库库存编号：NTD4858NA-1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.2nC @ 4.5V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 11.2A（Ta），73A（Tc） 1.3W（Ta），54.5W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4858NA-35G
  仓库库存编号：NTD4858NA-35G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.2nC @ 4.5V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 11.2A（Ta），73A（Tc） 1.3W（Ta），54.5W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4858NAT4G
  仓库库存编号：NTD4858NAT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.2nC @ 4.5V,
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• Trinamic Motion Control GmbH
  MOSFET N/P-CH 60V TO252-4
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 60V 6.6A, 4.7A 3.13W Surface Mount TO-252-4L
  
  型号：TMC1620-TO
  仓库库存编号：1460-1140-1-ND
  别名：1460-1140-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.2nC @ 4.5V,
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