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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP315PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP315PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP315PH6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.4A 1.8W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：DMP3098LSD-13
  仓库库存编号：DMP3098LSD-13DICT-ND
  别名：DMP3098LSD-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 4.5A 8PWRFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta），18A（Tc） 2.9W（Ta），50W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
  
  型号：STL4N10F7
  仓库库存编号：497-14989-1-ND
  别名：497-14989-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 2.4W（Tc） PowerFlat?（2x2）
  
  型号：STL3N10F7
  仓库库存编号：497-14993-1-ND
  别名：497-14993-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 37W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y59-60EX
  仓库库存编号：1727-1114-1-ND
  别名：1727-1114-1
  568-10269-1
  568-10269-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Tc） 40W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA05N100
  仓库库存编号：IXTA05N100-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 700V 4A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS70R2K0CEAKMA1
  仓库库存编号：IPS70R2K0CEAKMA1-ND
  别名：SP001471300
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 62.5W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
  
  型号：STL20DN10F7
  仓库库存编号：497-14967-1-ND
  别名：497-14967-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Tc） 40W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTA05N100HV
  仓库库存编号：IXTA05N100HV-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 20V 3.1A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Ta） 780mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMP2170U-13
  仓库库存编号：DMP2170U-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 20V 3.1A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Ta） 780mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMP2170U-7
  仓库库存编号：DMP2170U-7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 3.3A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.3A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMS2085LSD-13
  仓库库存编号：DMS2085LSD-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：DMP3098LSS-13
  仓库库存编号：DMP3098LSS-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-26
  
  型号：DMP3098LDM-7
  仓库库存编号：DMP3098LDM-7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 750mA（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP05N100
  仓库库存编号：IXTP05N100-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 700mA（Tc） 25W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP05N100M
  仓库库存编号：IXTP05N100M-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 750mA（Tc） 40W（Tc） TO-251
  
  型号：IXTU05N100
  仓库库存编号：IXTU05N100-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750V 4A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN70R2K1CEATMA1
  仓库库存编号：IPN70R2K1CEATMA1-ND
  别名：SP001664860
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 4A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R2K0CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R2K0CEAUMA1-ND
  别名：SP001466914
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 4A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPSA70R2K0CEAKMA1
  仓库库存编号：IPSA70R2K0CEAKMA1-ND
  别名：SP001605400
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP315P-E6327
  仓库库存编号：BSP315PINCT-ND
  别名：BSP315PE6327
  BSP315PINCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP315PE6327T
  仓库库存编号：BSP315PXTINCT-ND
  别名：BSP315PXTINCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP315PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP315PL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP315PL6327
  BSP315PL6327INCT
  BSP315PL6327INCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.8nC @ 10V,
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