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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.45W Surface Mount U-WLB1818-4
  
  型号：DMN1033UCB4-7
  仓库库存编号：DMN1033UCB4-7DICT-ND
  别名：DMN1033UCB4-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 800mW（Ta） TUMT3
  
  型号：RAF040P01TCL
  仓库库存编号：RAF040P01TCLCT-ND
  别名：RAF040P01TCLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 4.5V,
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  无铅
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Tc） 2W（Ta），20W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E180BNTB
  仓库库存编号：RQ3E180BNTBCT-ND
  别名：RQ3E180BNTBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 4.5V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.2W（Ta） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：MCP87018T-U/MF
  仓库库存编号：MCP87018T-U/MFCT-ND
  别名：MCP87018T-U/MFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 4.5V,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 30V 25A 8HSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），103A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） 8-HSO
  
  型号：SK8603140L
  仓库库存编号：P16267CT-ND
  别名：P16267CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 95W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB55NF06LT4
  仓库库存编号：497-7462-1-ND
  别名：497-7462-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 4.5V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 95W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP55NF06L
  仓库库存编号：497-6742-5-ND
  别名：497-6742-5
  STP55NF06L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 4.5V,
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