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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 35V 5.3A, 5A 1.54W Surface Mount TO-252-4L
  
  型号：DMG4511SK4-13
  仓库库存编号：DMG4511SK4-13DICT-ND
  别名：DMG4511SK4-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.7nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 57W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R500CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD50R500CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD50R500CEIN
  IPD50R500CEIN-ND
  IPD50R500CEINCT
  IPD50R500CEINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.7nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.6A（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R500CE
  仓库库存编号：IPP50R500CEIN-ND
  别名：IPP50R500CEIN
  IPP50R500CEXKSA1
  SP000939326
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.7nC @ 10V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 500V 11.1A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11.1A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN50R500CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAN50R500CEXKSA1-ND
  别名：SP001508834
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.7nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 57W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD50R500CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD50R500CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD50R500CEAUMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.7nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 5.4A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5.4A（Tc） 28W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA50R500CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA50R500CEXKSA2-ND
  别名：SP001217230
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.7nC @ 10V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 7.6A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220FP
  
  型号：IPA50R500CE
  仓库库存编号：IPA50R500CEIN-ND
  别名：IPA50R500CEIN
  IPA50R500CEXKSA1
  SP000939320
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.7nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 7.6A（Tc） 57W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R500CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R500CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R500CEATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.7nC @ 10V,
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