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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN2B01FTA
  仓库库存编号：ZXMN2B01FCT-ND
  别名：ZXMN2B01FCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Ta） 350mW（Tc） SOT-23
  
  型号：STR1P2UH7
  仓库库存编号：497-15519-1-ND
  别名：497-15519-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Ta） 960mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN2F30FHTA
  仓库库存编号：ZXMN2F30FHCT-ND
  别名：ZXMN2F30FHCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML9301TRPBF
  仓库库存编号：IRLML9301TRPBFCT-ND
  别名：IRLML9301TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT5
  
  型号：QS5U28TR
  仓库库存编号：QS5U28CT-ND
  别名：QS5U28CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 4.5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 9A UDFN6B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 1.25W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
  
  型号：SSM6K504NU,LF
  仓库库存编号：SSM6K504NULFCT-ND
  别名：SSM6K504NULFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 2.4W（Tc） PowerFlat?（2x2）
  
  型号：STL4P2UH7
  仓库库存编号：497-14996-1-ND
  别名：497-14996-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Tc） 1.6W（Tc） SOT-23-6
  
  型号：STT3P2UH7
  仓库库存编号：497-15156-1-ND
  别名：497-15156-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MLP2X2
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.1A 700mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
  
  型号：FDMA1025P
  仓库库存编号：FDMA1025PCT-ND
  别名：FDMA1025PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.2A（Ta） 2W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：IRFTS8342TRPBF
  仓库库存编号：IRFTS8342TRPBFCT-ND
  别名：IRFTS8342TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 500mW（Ta） X2-DFN1010-3
  
  型号：DMN1045UFR4-7
  仓库库存编号：DMN1045UFR4-7DICT-ND
  别名：DMN1045UFR4-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 20V 1.8A 4WLCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.8A（Ta） 450mW（Ta） 4-AphaDFN（0.97x0.97）
  
  型号：AOC2403
  仓库库存编号：785-1474-1-ND
  别名：785-1474-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.8nC @ 4.5V,
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