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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7478TRPBF
  仓库库存编号：IRF7478PBFCT-ND
  别名：*IRF7478TRPBF
  IRF7478PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
  
  型号：QS8J1TR
  仓库库存编号：QS8J1CT-ND
  别名：QS8J1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD17311Q5
  仓库库存编号：296-27625-1-ND
  别名：296-27625-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RZQ045P01TR
  仓库库存编号：RZQ045P01CT-ND
  别名：RZQ045P01CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta） 540mW（Ta），6.25W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN27UP,115
  仓库库存编号：1727-1355-1-ND
  别名：1727-1355-1
  568-10797-1
  568-10797-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V SC-74
  详细描述：P 沟道 5.7A（Ta） 540mW（Ta），6.25W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN27UPH
  仓库库存编号：PMN27UPH-ND
  别名：934064768125
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 120A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3717TRRPBF
  仓库库存编号：IRLR3717TRRPBF-ND
  别名：SP001569116
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 120A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3717TRPBF
  仓库库存编号：IRLR3717TRPBF-ND
  别名：SP001553200
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：AUIRF7478QTR
  仓库库存编号：AUIRF7478QTR-ND
  别名：SP001522778
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 120A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3717PBF
  仓库库存编号：IRLR3717PBF-ND
  别名：*IRLR3717PBF
  SP001568638
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 39A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRL3302L
  仓库库存编号：IRL3302L-ND
  别名：*IRL3302L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3302
  仓库库存编号：IRL3302-ND
  别名：*IRL3302
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3302S
  仓库库存编号：IRL3302S-ND
  别名：*IRL3302S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3302STRL
  仓库库存编号：IRL3302STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3302STRR
  仓库库存编号：IRL3302STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7811WPBF
  仓库库存编号：IRLR7811WPBF-ND
  别名：*IRLR7811WPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 120A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 120A（Tc） 89W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU3717PBF
  仓库库存编号：IRLU3717PBF-ND
  别名：*IRLU3717PBF
  SP001573078
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3302SPBF
  仓库库存编号：IRL3302SPBF-ND
  别名：*IRL3302SPBF
  SP001552554
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3302PBF
  仓库库存编号：IRL3302PBF-ND
  别名：*IRL3302PBF
  SP001568274
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7811WCPBF
  仓库库存编号：IRLR7811WCPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7811WCTRRP
  仓库库存编号：IRLR7811WCTRRP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7811WCTRLP
  仓库库存编号：IRLR7811WCTRLP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 120A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3717TRLPBF
  仓库库存编号：IRLR3717TRLPBF-ND
  别名：SP001567384
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7478QTRPBF
  仓库库存编号：IRF7478QTRPBFCT-ND
  别名：IRF7478QTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3302STRLPBF
  仓库库存编号：IRL3302STRLPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 31nC @ 4.5V,
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