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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 34W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC22DN20NS3 G
  仓库库存编号：BSC22DN20NS3 GCT-ND
  别名：BSC22DN20NS3 GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13.1A（Tc） 2.5W（Ta）, 20.2W（Tc） 6-WSON（2x2）
  
  型号：CSD19538Q2T
  仓库库存编号：296-44612-1-ND
  别名：296-44612-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 770mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN13H750S-7
  仓库库存编号：DMN13H750S-7DICT-ND
  别名：DMN13H750S-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 300V 0.9A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta），2.5A（Tc） 3.1W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7462
  仓库库存编号：785-1314-1-ND
  别名：785-1314-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 830mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FQT4N25TF
  仓库库存编号：FQT4N25TFCT-ND
  别名：FQT4N25TFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD4N25TM_WS
  仓库库存编号：FQD4N25TM_WSCT-ND
  别名：FQD4N25TM_WSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 34W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ22DN20NS3 G
  仓库库存编号：BSZ22DN20NS3GCT-ND
  别名：BSZ22DN20NS3GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN358P
  仓库库存编号：FDN358PCT-ND
  别名：FDN358PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 3.5A SOT563
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 1W（Ta） SOT-563/SCH6
  
  型号：SCH1439-TL-W
  仓库库存编号：SCH1439-TL-WOSCT-ND
  别名：SCH1439-TL-WOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 1.5W（Ta） SC-88FL/ MCPH6
  
  型号：MCH6431-TL-W
  仓库库存编号：MCH6431-TL-W-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 35V 4.5A 2.2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：FW216A-TL-2W
  仓库库存编号：FW216A-TL-2W-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET NCH 100V 14.4A SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.4A（Ta） 2.5W（Ta）, 20.2W（Tc） 6-WSON（2x2）
  
  型号：CSD19538Q2
  仓库库存编号：CSD19538Q2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.5A, 3.5A 1.7W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：FW344A-TL-2W
  仓库库存编号：FW344A-TL-2W-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 5.5A（Tc） 8.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：PHT6N06T,135
  仓库库存编号：568-7368-1-ND
  别名：568-7368-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 3A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD4N25TF
  仓库库存编号：FQD4N25TF-ND
  别名：Q1585607
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 3A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU4N25TU
  仓库库存编号：FQU4N25TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 3.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 3.6A（Tc） 52W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP4N25
  仓库库存编号：FQP4N25-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 2.8A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF4N25
  仓库库存编号：FQPF4N25-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 3.6A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI4N25TU
  仓库库存编号：FQI4N25TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 3.6A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB4N25TM
  仓库库存编号：FQB4N25TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5A（Ta） 1.5W（Ta） 6-MCPH
  
  型号：MCH6431-TL-H
  仓库库存编号：MCH6431-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 3.5A SCH6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.5A（Ta） 1W（Ta） 6-SCH
  
  型号：SCH1439-TL-H
  仓库库存编号：SCH1439-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.6nC @ 10V,
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