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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：CSD88539NDT
  仓库库存编号：296-37796-1-ND
  别名：296-37796-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.4A（Tc） 37.3W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y153-100EX
  仓库库存编号：1727-1802-1-ND
  别名：1727-1802-1
  568-11416-1
  568-11416-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 3W（Ta），25W（Tc） 8-HSOP
  
  型号：RS1G120MNTB
  仓库库存编号：RS1G120MNTBCT-ND
  别名：RS1G120MNTBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD60R1K5CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND
  别名：IPD60R1K5CEAUMA1-ND
  IPD60R1K5CEAUMA1TR
  SP001396902
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD60R1K5CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K5CEAUMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD60R1K5CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K5CEAUMA1DKR-ND
  别名：IPD60R1K5CEAUMA1DKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R1K4C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K4C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K4C6ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：CSD88539ND
  仓库库存编号：296-37304-1-ND
  别名：296-37304-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R1K4C6
  仓库库存编号：IPD60R1K4C6CT-ND
  别名：IPD60R1K4C6CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 8A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 15W（Tc） CPT3
  
  型号：RSD080N06TL
  仓库库存编号：RSD080N06TL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 198W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B03NLT3G
  仓库库存编号：NVMFS6B03NLT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 198W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B03NLWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS6B03NLWFT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 198W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B03NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS6B03NLT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 198W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B03NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS6B03NLWFT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.1A（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R1K5CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K5CEAKMA1-ND
  别名：SP001369534
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 49W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K5CEAKMA2
  仓库库存编号：IPU60R1K5CEAKMA2-ND
  别名：SP001396898
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K4C6AKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K4C6AKMA1-ND
  别名：SP001292874
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3A（Tc） 26.6W（Tc） Thin-PAK（5x6）
  
  型号：IPL60R1K5C6SATMA1
  仓库库存编号：IPL60R1K5C6SATMA1-ND
  别名：SP001163010
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5A（Tc） 20W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R1K5CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R1K5CEXKSA1-ND
  别名：SP001429420
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 28W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R1K5CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K5CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K5CEATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.4A（Tc） 280mW（Tj） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV45EN,215
  仓库库存编号：568-2356-1-ND
  别名：568-2356-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.7A（Tc） 280mW（Tj） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV60EN,215
  仓库库存编号：568-2357-1-ND
  别名：568-2357-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 44W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM2NB60CH C5G
  仓库库存编号：TSM2NB60CH C5G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 44W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM2NB60CP ROG
  仓库库存编号：TSM2NB60CP ROGTR-ND
  别名：TSM2NB60CP ROGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 44W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM2NB60CP ROG
  仓库库存编号：TSM2NB60CP ROGCT-ND
  别名：TSM2NB60CP ROGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.4nC @ 10V,
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