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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8788TRPBF
  仓库库存编号：IRF8788TRPBFCT-ND
  别名：IRF8788TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP60NF06L
  仓库库存编号：497-5895-5-ND
  别名：497-5895-5
  STP60NF06L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB60NF06LT4
  仓库库存编号：497-6554-1-ND
  别名：497-6554-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Ta） 2.5W（Ta），62.5W（Tc） DIRECTFET? M4
  
  型号：AUIRL7766M2TR
  仓库库存编号：AUIRL7766M2TR-ND
  别名：SP001516036
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 8.8A（Ta） 1.3W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：FDW252P
  仓库库存编号：FDW252P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 66nC @ 4.5V,
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