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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Ta） 480mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV65XP,215
  仓库库存编号：1727-3124-1-ND
  别名：1727-3124-1
  568-2358-1
  568-2358-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 32A 12W Surface Mount 8-LSON (5x6)
  
  型号：CSD87351Q5D
  仓库库存编号：296-28327-1-ND
  别名：296-28327-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
• 含铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 5.8A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM250N02CX RFG
  仓库库存编号：TSM250N02CX RFGTR-ND
  别名：TSM250N02CX RFGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 5.8A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM250N02CX RFG
  仓库库存编号：TSM250N02CX RFGCT-ND
  别名：TSM250N02CX RFGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 5.8A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM250N02CX RFG
  仓库库存编号：TSM250N02CX RFGDKR-ND
  别名：TSM250N02CX RFGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.6A 600mW Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
  
  型号：FDME1023PZT
  仓库库存编号：FDME1023PZTCT-ND
  别名：FDME1023PZTCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 1.4W（Ta） 6-MicroFET（1.6x1.6）
  
  型号：FDFME2P823ZT
  仓库库存编号：FDFME2P823ZTCT-ND
  别名：FDFME2P823ZTCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 750mW Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：NTMD4820NR2G
  仓库库存编号：NTMD4820NR2GOSCT-ND
  别名：NTMD4820NR2GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 32A 12W Surface Mount 8-LSON (5x6)
  
  型号：CSD87351ZQ5D
  仓库库存编号：296-35666-1-ND
  别名：296-35666-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.8A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
  
  型号：TSM250N02DCQ RFG
  仓库库存编号：TSM250N02DCQ RFGTR-ND
  别名：TSM250N02DCQ RFGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.8A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
  
  型号：TSM250N02DCQ RFG
  仓库库存编号：TSM250N02DCQ RFGCT-ND
  别名：TSM250N02DCQ RFGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.8A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
  
  型号：TSM250N02DCQ RFG
  仓库库存编号：TSM250N02DCQ RFGDKR-ND
  别名：TSM250N02DCQ RFGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 40W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM090N03ECP ROG
  仓库库存编号：TSM090N03ECP ROGTR-ND
  别名：TSM090N03ECP ROGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 40W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM090N03ECP ROG
  仓库库存编号：TSM090N03ECP ROGCT-ND
  别名：TSM090N03ECP ROGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 40W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM090N03ECP ROG
  仓库库存编号：TSM090N03ECP ROGDKR-ND
  别名：TSM090N03ECP ROGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.7A（Ta） 1.1W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5853DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5853DC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5853DC-T1-E3CT
  SI5853DCT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.7A（Ta） 1.1W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5855DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5855DC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5855DC-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.7A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5933DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5933DC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5933DC-T1-E3CT
  SI5933DCT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 20V 4A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 4A 800mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：AO6804
  仓库库存编号：785-1083-1-ND
  别名：785-1083-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.9A（Ta） 750mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4800NR2G
  仓库库存编号：NTMS4800NR2G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.7A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5933DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5933DC-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V,
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