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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7892BDP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7892BDP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7892BDP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 4.5A TSST8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 650mW（Ta） 8-TSST
  
  型号：RT1A045APTCR
  仓库库存编号：RT1A045APTCRCT-ND
  别名：RT1A045APTCRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU150N3LLH6
  仓库库存编号：497-12693-5-ND
  别名：497-12693-5
  STU150N3LLH6-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1W（Ta），2.7W（Tc） 4-Microfoot
  
  型号：SI8424CDB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8424CDB-T1-E1CT-ND
  别名：SI8424CDB-T1-E1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），107W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4804NT4G
  仓库库存编号：NTD4804NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4804NT4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 35A POWERFLAT6X5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 114W（Tc） PowerFlat?（6x5）
  
  型号：STL150N3LLH5
  仓库库存编号：497-8483-1-ND
  别名：497-8483-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 2.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：STS26N3LLH6
  仓库库存编号：497-12348-1-ND
  别名：497-12348-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7476TRPBF
  仓库库存编号：IRF7476TRPBFCT-ND
  别名：IRF7476TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP150N3LLH6
  仓库库存编号：497-9097-5-ND
  别名：497-9097-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB85NF3LLT4
  仓库库存编号：497-7953-1-ND
  别名：497-7953-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD60NF3LLT4
  仓库库存编号：497-2476-1-ND
  别名：497-2476-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET NCH 30V 150A POWERFLAT5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（6x5）
  
  型号：STL150N3LLH6
  仓库库存编号：497-10419-1-ND
  别名：497-10419-1
  
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 1W（Ta） TUMT6
  
  型号：RAL045P01TCR
  仓库库存编号：RAL045P01TCR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 550mW Surface Mount TSMT8
  
  型号：QS8J12TCR
  仓库库存编号：QS8J12TCR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），107W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4804NT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD4804NT4G-VF01OSCT-ND
  别名：NVD4804NT4G-VF01OSCT
  NVD4804NT4GOSCT
  NVD4804NT4GOSCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6469DQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6469DQ-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7892BDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7892BDP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7892BDP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 40A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0853DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0853DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0853DPB-00#J5-ND
  RJK0853DPB-00#J5TR
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 100A PWRFLAT6X5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（6x5）
  
  型号：STL100NH3LL
  仓库库存编号：497-5813-1-ND
  别名：497-5813-1
  
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  MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Tc） 3.2W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS25NH3LL
  仓库库存编号：497-2474-1-ND
  别名：497-2474-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Tc） 3.2W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS25NH3LL-E
  仓库库存编号：497-4395-1-ND
  别名：497-4395-1
  STS25NH3LLE
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 25A PWRSOIC-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 3W（Ta），70W（Tc） 8-SOIC-EP
  
  型号：STSJ100NH3LL
  仓库库存编号：497-5785-1-ND
  别名：497-5785-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 2.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS30N3LLH6
  仓库库存编号：497-10008-1-ND
  别名：497-10008-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14.5A（Tc） D2PAK
  
  型号：STB16NF25
  仓库库存编号：STB16NF25-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7382DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7382DP-T1-E3TR-ND
  别名：SI7382DP-T1-E3TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 4.5V,
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