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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8870
  仓库库存编号：FDS8870FSCT-ND
  别名：FDS8870FSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 53A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 62W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF85N06
  仓库库存编号：FQPF85N06-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 36A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 312W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP36N60N
  仓库库存编号：FCP36N60N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 220A PSOF8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220A（Tc） 300W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL86366_F085
  仓库库存编号：FDBL86366_F085CT-ND
  别名：FDBL86366_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 36A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF36N60NT
  仓库库存编号：FCPF36N60NT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 34.9A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA36N60NF
  仓库库存编号：FCA36N60NF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 85A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP85N06
  仓库库存编号：FQP85N06-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 38A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT38N60BC6
  仓库库存编号：APT38N60BC6-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 110A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 176W（Tj） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB86366_F085
  仓库库存编号：FDB86366_F085CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 100A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 227W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD9407_F085
  仓库库存编号：FDD9407_F085CT-ND
  别名：FDD9407_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 312W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB36N60NTM
  仓库库存编号：FCB36N60NTMCT-ND
  别名：FCB36N60NTMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB80NF55-08AG
  仓库库存编号：497-17142-1-ND
  别名：497-17142-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220
  
  型号：STP80NF55-08AG
  仓库库存编号：497-17149-ND
  别名：497-17149
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 220A 8PSOF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220A（Tc） 300W（Tc） 8-PSOF
  
  型号：FDBL0330N80
  仓库库存编号：FDBL0330N80CT-ND
  别名：FDBL0330N80CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 220A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 220A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP220N04T2
  仓库库存编号：IXTP220N04T2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 220A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220A（Tc） 360W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
  
  型号：IXTA220N04T2-7
  仓库库存编号：IXTA220N04T2-7-ND
  别名：IXTA220N04T27
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 200V 89A 357W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM20HM20STG
  仓库库存编号：APTM20HM20STG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 200V 89A 357W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM20HM20FTG
  仓库库存编号：APTM20HM20FTG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 160A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB160N08S403ATMA1
  仓库库存编号：IPB160N08S403ATMA1-ND
  别名：SP000989092
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 85A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 85A（Tc） 3.75W（Ta），160W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB85N06TM_AM002
  仓库库存编号：FQB85N06TM_AM002-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Tc） 214W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA85N06
  仓库库存编号：FQA85N06-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 160A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 160A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA160N075T
  仓库库存编号：IXTA160N075T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 160A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 160A（Tc） 360W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
  
  型号：IXTA160N075T7
  仓库库存编号：IXTA160N075T7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 160A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 160A（Tc） 360W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH160N075T
  仓库库存编号：IXTH160N075T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 160A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 160A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP160N075T
  仓库库存编号：IXTP160N075T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 112nC @ 10V,
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