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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),180A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB014N04LX3 G
仓库库存编号:
BSB014N04LX3 GCT-ND
别名:BSB014N04LX3 GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 196nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 202A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 202A(Tc) 333W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1404PBF
仓库库存编号:
IRF1404PBF-ND
别名:*IRF1404PBF
SP001561374
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 196nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 21A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 21A(Ta),85A(Tc) 2.3W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6403
仓库库存编号:
785-1339-1-ND
别名:785-1339-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 196nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 32A(Tc) 890W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX32P60P
仓库库存编号:
IXTX32P60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 196nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 32A TO-264
详细描述:通孔 P 沟道 600V 32A(Tc) 890W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK32P60P
仓库库存编号:
IXTK32P60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 196nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 600V 18A(Tc) 310W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR32P60P
仓库库存编号:
IXTR32P60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 196nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 32A SOT227
详细描述:底座安装 P 沟道 600V 32A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN32P60P
仓库库存编号:
IXTN32P60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 196nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 202A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 160A(Tc) 333W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF1404
仓库库存编号:
AUIRF1404-ND
别名:SP001522606
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 196nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS
详细描述:通孔 N 沟道 60V 45A(Ta) 45W(Tc) TO-220NIS
型号:
2SK3844(Q)
仓库库存编号:
2SK3844(Q)-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 196nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S3L06XK
仓库库存编号:
IPI80N06S3L06XK-ND
别名:IPI80N06S3L-06
IPI80N06S3L-06-ND
IPI80N06S3L-06IN
IPI80N06S3L-06IN-ND
IPI80N06S3L06X
SP000088002
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 196nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S3L-06
仓库库存编号:
IPP80N06S3L-06-ND
别名:IPP80N06S3L06X
IPP80N06S3L06XK
SP000088006
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 196nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S3L-06
仓库库存编号:
IPB80N06S3L-06INCT-ND
别名:IPB80N06S3L-06INCT
IPB80N06S3L06
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 196nC @ 10V,
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