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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 8-VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta），191W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17556Q5B
  仓库库存编号：296-35726-1-ND
  别名：296-35726-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），30A（Tc） 2W（Ta），30W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E180AJTB
  仓库库存编号：RQ3E180AJTBCT-ND
  别名：RQ3E180AJTBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 1.6W（Ta） P-DSO-8
  
  型号：BSO203SP H
  仓库库存编号：BSO203SP HCT-ND
  别名：BSO203SP HCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PT8PZ 20/8V VIS WITH 2.05X2.05 P
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2.4W（Ta） 6-PQFN（2x2）
  
  型号：FDMA008P20LZ
  仓库库存编号：FDMA008P20LZ-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 7A 1.6W Surface Mount P-DSO-8
  
  型号：BSO203PHXUMA1
  仓库库存编号：BSO203PHXUMA1CT-ND
  别名：BSO203P HCT
  BSO203P HCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 4.5V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS10PF30L
  仓库库存编号：497-4120-1-ND
  别名：497-4120-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 8.3A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7425DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7425DN-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 8.3A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7425DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7425DN-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 32A（Ta），160A（Tc） 2.1W（Ta），54W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6894MTR1PBF
  仓库库存编号：IRF6894MTR1PBFCT-ND
  别名：IRF6894MTR1PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 4.5V,
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