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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 135W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRLU8743PBF
  仓库库存编号：IRLU8743PBF-ND
  别名：SP001573024
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 135W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8743TRPBF
  仓库库存编号：IRLR8743TRPBFCT-ND
  别名：IRLR8743TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 9A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1A090ZPTR
  仓库库存编号：RP1A090ZPCT-ND
  别名：RP1A090ZPCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 9.9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7407DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7407DN-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 9.9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7407DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7407DN-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 34A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6715MTR1PBF
  仓库库存编号：IRF6715MTR1PBFCT-ND
  别名：IRF6715MTR1PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 39A（Ta），180A（Tc） 3.6W（Ta），78W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6716MTR1PBF
  仓库库存编号：IRF6716MTR1PBFCT-ND
  别名：IRF6716MTR1PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 4.5V,
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