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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 192A（Tc） 441W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF100B201
  仓库库存编号：IRF100B201-ND
  别名：SP001561498
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 255nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 140A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK140N25T
  仓库库存编号：IXFK140N25T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 255nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 192A（Tc） 441W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：IRF100S201
  仓库库存编号：IRF100S201CT-ND
  别名：IRF100S201CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 255nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 46A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 446W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH085N80_F155
  仓库库存编号：FCH085N80_F155-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 255nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 188A（Tc） 1070W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN210N20P
  仓库库存编号：IXFN210N20P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 255nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 100A DE475
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 445W（Tc） DE475
  
  型号：IXFZ140N25T
  仓库库存编号：IXFZ140N25T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 255nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 540W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ60N20L2
  仓库库存编号：IXTQ60N20L2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 255nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH60N20L2
  仓库库存编号：IXTH60N20L2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 255nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 60A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 540W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT60N20L2
  仓库库存编号：IXTT60N20L2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 255nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 82A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN100N50Q3
  仓库库存编号：IXFN100N50Q3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 255nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 250V 140A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 140A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX140N25T
  仓库库存编号：IXFX140N25T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 255nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 210A（Tc） 1500W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB210N20P
  仓库库存编号：IXFB210N20P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 255nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 250V 120A（Tc） 690W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN140N25T
  仓库库存编号：IXFN140N25T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 255nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 100A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB100N50Q3
  仓库库存编号：IXFB100N50Q3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 255nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 36A 250W Chassis Mount Module
  
  型号：APTC60HM83FT2G
  仓库库存编号：APTC60HM83FT2G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 255nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 47A（Tc） 415W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW47N65C3FKSA1
  仓库库存编号：SPW47N65C3FKSA1-ND
  别名：SP000274751
  SPW47N65C3
  SPW47N65C3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 255nC @ 10V,
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