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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2315BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2315BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2315BDS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 45W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0651DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0651DPB-00#J5CT-ND
  别名：RJK0651DPB-00#J5CT
  RJK0651DPB00J5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 1W（Ta） SC-88/SC70-6/SOT-363
  
  型号：NTJS3157NT1G
  仓库库存编号：NTJS3157NT1GOSCT-ND
  别名：NTJS3157NT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGS3443T1G
  仓库库存编号：NTGS3443T1GOSCT-ND
  别名：NTGS3443T1GOS
  NTGS3443T1GOS-ND
  NTGS3443T1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR2703TRPBF
  仓库库存编号：IRLR2703TRPBFCT-ND
  别名：*IRLR2703TRPBF
  IRLR2703PBFCT
  IRLR2703PBFCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 24A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL2703PBF
  仓库库存编号：IRL2703PBF-ND
  别名：*IRL2703PBF
  SP001558664
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 81A（Tc） 63W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8256TRPBF
  仓库库存编号：IRLR8256TRPBFCT-ND
  别名：IRLR8256TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Ta） 1.7W（Ta） 4-WLCSP（1x1）
  
  型号：FDZ375P
  仓库库存编号：FDZ375PCT-ND
  别名：FDZ375PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 26.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA96DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA96DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISA96DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 9A（Tc） 2.5W（Ta），13W（Tc）
  
  型号：SIB404DK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB404DK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB404DK-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 23A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISS71DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISS71DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISS71DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Micro Commercial Co
  MOSFET 2N-CH 20V 7A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7A Surface Mount DFN2030-6
  
  型号：MCCD2007-TP
  仓库库存编号：MCCD2007-TPMSCT-ND
  别名：MCCD2007-TPMSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 740mW（Ta） X1-WLB0808-4
  
  型号：DMN1054UCB4-7
  仓库库存编号：DMN1054UCB4-7DICT-ND
  别名：DMN1054UCB4-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 750mW（Ta）
  
  型号：SI2315BDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2315BDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2315BDS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：STS4DNF60L
  仓库库存编号：497-3226-1-ND
  别名：497-3226-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 64A, 145A 31W, 50W Surface Mount PQFN (5x6)
  
  型号：IRFH4253DTRPBF
  仓库库存编号：IRFH4253DTRPBFCT-ND
  别名：IRFH4253DTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 25V 64A, 188A 31W, 63W Surface Mount PQFN (5x6)
  
  型号：IRFH4251DTRPBF
  仓库库存编号：IRFH4251DTRPBFCT-ND
  别名：IRFH4251DTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 25V 8PDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.2W（Ta） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：MCP87050T-U/MF
  仓库库存编号：MCP87050T-U/MFCT-ND
  别名：MCP87050T-U/MFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.3A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：FDT439N
  仓库库存编号：FDT439NCT-ND
  别名：FDT439NCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 960mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NTR2101PT1G
  仓库库存编号：NTR2101PT1GOSCT-ND
  别名：NTR2101PT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET 2N-CH 60V 5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：STS5DNF60L
  仓库库存编号：497-15672-1-ND
  别名：497-15672-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGS3446T1G
  仓库库存编号：NTGS3446T1GOSCT-ND
  别名：NTGS3446T1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Micro Commercial Co
  P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Ta） 350mW（Ta） SOT-23
  
  型号：SI2305-TP
  仓库库存编号：SI2305-TPMSCT-ND
  别名：SI2305-TPMSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 15.6W（Tc）
  
  型号：SIA469DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA469DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA469DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 34.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA96DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA96DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA96DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V,
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