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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 59A（Tc） 392W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA59N25
  仓库库存编号：FDA59N25-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 158W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK6607-55C,118
  仓库库存编号：1727-5513-1-ND
  别名：1727-5513-1
  568-6992-1
  568-6992-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 89A（Tc） 211W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN9R5-100BS,118
  仓库库存编号：1727-7218-1-ND
  别名：1727-7218-1
  568-9709-1
  568-9709-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 234W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK764R4-60E,118
  仓库库存编号：1727-7254-1-ND
  别名：1727-7254-1
  568-9883-1
  568-9883-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 234W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E4R6-60E,127
  仓库库存编号：1727-7246-ND
  别名：1727-7246
  568-9855-5
  568-9855-5-ND
  934066658127
  BUK7E4R660E127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 89A（Tc） 211W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN9R5-100PS,127
  仓库库存编号：1727-4664-ND
  别名：1727-4664
  568-5781
  568-5781-5
  568-5781-5-ND
  568-5781-ND
  934064327127
  PSMN9R5-100PS,127-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 35A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 210W（Tc） TO-247
  
  型号：STWA45N65M5
  仓库库存编号：497-13596-5-ND
  别名：497-13596-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 35A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 57W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW45N65M5
  仓库库存编号：497-15539-5-ND
  别名：497-15539-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 98A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 98A（Tc） 115W（Tc） DPAK-3
  
  型号：NTD5862NT4G
  仓库库存编号：NTD5862NT4GOSCT-ND
  别名：NTD5862NT4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 227W（Tj） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD86567_F085
  仓库库存编号：FDD86567_F085CT-ND
  别名：FDD86567_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 17A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6280
  仓库库存编号：785-1338-1-ND
  别名：785-1338-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20.6A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF190N60E
  仓库库存编号：FCPF190N60E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 147W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH14N60E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH14N60E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH14N60E-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.6A（Tc） 208W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH190N65F_F085
  仓库库存编号：FCH190N65F_F085-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 37A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP104N60
  仓库库存编号：FCP104N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 37A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH104N60
  仓库库存编号：FCH104N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta），22.5A（Tc） 2.8W（Ta），160W（Tc） PowerFLAT?（8x8）
  
  型号：STL45N65M5
  仓库库存编号：497-13776-1-ND
  别名：497-13776-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 158W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK6207-55C,118
  仓库库存编号：1727-5501-1-ND
  别名：1727-5501-1
  568-6978-1
  568-6978-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB054N06N3 G
  仓库库存编号：IPB054N06N3 GCT-ND
  别名：IPB054N06N3 GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH30N60P
  仓库库存编号：IXTH30N60P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
  
  型号：IPA057N06N3 G
  仓库库存编号：IPA057N06N3 G-ND
  别名：IPA057N06N3G
  IPA057N06N3GXKSA1
  SP000457582
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP057N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP057N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPP057N06N3 G
  IPP057N06N3 G-ND
  IPP057N06N3G
  SP000680808
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 18A（Ta），98A（Tc） 4.1W（Ta），115W（Tc） DPAK-3
  
  型号：NVD5862NT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD5862NT4G-VF01-ND
  别名：NVD5802NT4G-VF01
  NVD5862NT4G
  NVD5862NT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP5862NG
  仓库库存编号：NTP5862NG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20.6A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP190N60E
  仓库库存编号：FCP190N60E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 82nC @ 10V,
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