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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 160A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 430W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP160N10T
  仓库库存编号：IXTP160N10T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 132nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 160A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 430W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH160N10T
  仓库库存编号：IXTH160N10T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 132nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 32A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 39W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF35N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHF35N60E-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 132nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP35N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP35N60E-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 132nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB35N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB35N60E-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 132nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG35N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHG35N60E-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 132nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 274A（Tc） 250W（Ta） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD18510KTTT
  仓库库存编号：296-45229-1-ND
  别名：296-45229-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 132nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），160A（Tc） 160W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8870
  仓库库存编号：FDB8870FSCT-ND
  别名：FDB8870FSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 132nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 156A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Ta），156A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8870_F085
  仓库库存编号：FDP8870_F085-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 132nC @ 10V,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 430W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ160N10T
  仓库库存编号：IXTQ160N10T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 132nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36.5A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4158DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4158DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 132nC @ 10V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Ta），156A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8870
  仓库库存编号：FDP8870-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 132nC @ 10V,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 160A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 430W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA160N10T
  仓库库存编号：IXTA160N10T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 132nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 430W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
  
  型号：IXTA160N10T7
  仓库库存编号：IXTA160N10T7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 132nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 95A
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 95A（Tc） 42W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI7440GPBF
  仓库库存编号：IRFI7440GPBF-ND
  别名：SP001578074
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 132nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 83A（Tc） 140W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC160N10T
  仓库库存编号：IXTC160N10T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 132nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 30A（Ta） 150W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：2SK2967(F)
  仓库库存编号：2SK2967(F)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 132nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 30A（Ta） 90W（Tc） TO-3P（N）IS
  
  型号：2SK2995(F)
  仓库库存编号：2SK2995(F)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 132nC @ 10V,
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