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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP048N12N3 G
  仓库库存编号：IPP048N12N3 G-ND
  别名：IPP048N12N3G
  IPP048N12N3GXKSA1
  SP000652734
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 182nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 69.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ438DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ438DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJ438DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 182nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG47N60AE-GE3
  仓库库存编号：SIHG47N60AE-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 182nC @ 10V,
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• IXYS
  40V/270A TRENCH T POWER MOSFET,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 270A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
  
  型号：IXTA270N04T4-7
  仓库库存编号：IXTA270N04T4-7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 182nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB80NF10T4
  仓库库存编号：497-2489-1-ND
  别名：497-2489-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 182nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP80NF10
  仓库库存编号：497-2642-5-ND
  别名：497-2642-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 182nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 270A
  详细描述：通孔 N 沟道 270A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP270N04T4
  仓库库存编号：IXTP270N04T4-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 182nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 270A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 270A（Tc） 375W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXTA270N04T4
  仓库库存编号：IXTA270N04T4-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 182nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 270A
  详细描述：通孔 N 沟道 270A（Tc） 375W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTH270N04T4
  仓库库存编号：IXTH270N04T4-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 182nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 90A TO-263
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.8W（Ta），217W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NP90N04MUG-S18-AY
  仓库库存编号：NP90N04MUG-S18-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 182nC @ 10V,
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