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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 25W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：STF16N50M2
  仓库库存编号：497-15114-5-ND
  别名：497-15114-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.5nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 47A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 47A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK6213-30C,118
  仓库库存编号：1727-5506-1-ND
  别名：1727-5506-1
  568-6984-1
  568-6984-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.5nC @ 10V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS892ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS892ADN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS892ADN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 4.1W（Ta），29.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7454DDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7454DDP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7454DDP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD16N65M2
  仓库库存编号：497-15258-1-ND
  别名：497-15258-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：STD16N50M2
  仓库库存编号：497-15111-1-ND
  别名：497-15111-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.5nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 62W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK7M27-80EX
  仓库库存编号：1727-2561-1-ND
  别名：1727-2561-1
  568-13005-1
  568-13005-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU16N65M2
  仓库库存编号：497-15248-5-ND
  别名：497-15248-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP16N65M2
  仓库库存编号：497-15275-5-ND
  别名：497-15275-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF16N65M2
  仓库库存编号：497-15269-5-ND
  别名：497-15269-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 13A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP16N50M2
  仓库库存编号：497-15274-5-ND
  别名：497-15274-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 56W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL16N65M2
  仓库库存编号：497-15259-1-ND
  别名：497-15259-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.5nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 62W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK7M10-40EX
  仓库库存编号：1727-2555-1-ND
  别名：1727-2555-1
  568-12999-1
  568-12999-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.5nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），80A（Tc） 3W（Ta），30W（Tc） 8-HSOP
  
  型号：RS1G180MNTB
  仓库库存编号：RS1G180MNTB-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 22A（Tc） 4.1W（Ta），29.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7454CDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7454CDP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7454CDP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.5nC @ 10V,
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