以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：NTGD4167CT1G
  仓库库存编号：NTGD4167CT1GOSCT-ND
  别名：NTGD4167CT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23
  
  型号：DMG3418L-7
  仓库库存编号：DMG3418L-7DICT-ND
  别名：DMG3418L-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.5A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2306CX RFG
  仓库库存编号：TSM2306CX RFGTR-ND
  别名：TSM2306CX RFGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.5A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2306CX RFG
  仓库库存编号：TSM2306CX RFGCT-ND
  别名：TSM2306CX RFGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.5A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2306CX RFG
  仓库库存编号：TSM2306CX RFGDKR-ND
  别名：TSM2306CX RFGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 20V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.9A（Tj） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2302DDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2302DDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2302DDS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 20V SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.2A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2351ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2351ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2351ES-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2302CDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2302CDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2302CDS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2302CDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2302CDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2302CDS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 30V SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA918EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA918EDJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA918EDJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V POWERPAK SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.75A（Tc） 13.6W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SQA401EJ-T1_GE3
  仓库库存编号：SQA401EJ-T1_GE3CT-ND
  别名：SQA401EJ-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRENCH 6 40V FET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Tc） 30W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5C471NLWFTAG
  仓库库存编号：NVTFS5C471NLWFTAGOSCT-ND
  别名：NVTFS5C471NLWFTAGOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-23
  
  型号：DMG2301L-13
  仓库库存编号：DMG2301L-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-23
  
  型号：DMG2301L-7
  仓库库存编号：DMG2301L-7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23
  
  型号：DMG3418L-13
  仓库库存编号：DMG3418L-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta），23A（Tc） 790mW（Ta），20.2W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4930NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4930NTAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta），23A（Tc） 790mW（Ta），20.2W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4930NTWG
  仓库库存编号：NTTFS4930NTWG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.3A（Tc） 1.7W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SQ3442EV-T1-GE3
  仓库库存编号：SQ3442EV-T1-GE3CT-ND
  别名：SQ3442EV-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.6A 560mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：NTGD3133PT1G
  仓库库存编号：NTGD3133PT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.6A（Ta） 900mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGD4169FT1G
  仓库库存编号：NTGD4169FT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGD3147FT1G
  仓库库存编号：NTGD3147FT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.2A, 2.4A 900mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：NTGD3149CT1G
  仓库库存编号：NTGD3149CT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 1.6A（Tc） 1.47W（Ta），2.27W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1405BDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1405BDH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1405BDH-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 770mA（Ta） 170mW（Ta） SC-89（SOT-563F）
  
  型号：SI1037X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1037X-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 770mA（Ta） 170mW（Ta） SC-89（SOT-563F）
  
  型号：SI1037X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1037X-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索