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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 1.25W（Ta），2.1W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2312CDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2312CDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2312CDS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 75W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y53-100B,115
  仓库库存编号：1727-4944-1-ND
  别名：1727-4944-1
  568-6238-1
  568-6238-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 85W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y19-55B,115
  仓库库存编号：1727-4941-1-ND
  别名：1727-4941-1
  568-6235-1
  568-6235-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD30NF03LT4
  仓库库存编号：497-3157-1-ND
  别名：497-3157-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRLD024PBF
  仓库库存编号：IRLD024PBF-ND
  别名：*IRLD024PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 2W（Ta），3.6W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3464DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3464DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3464DV-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.6A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD19N10LTM
  仓库库存编号：FQD19N10LTMCT-ND
  别名：FQD19N10LTMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR024TRPBF
  仓库库存编号：IRLR024TRPBFCT-ND
  别名：*IRLR024TRPBF
  IRLR024TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• EPC
  MOSFET NCH 40V 31A DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2030ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2030ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2030ENGRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR024
  仓库库存编号：IRLR024-ND
  别名：*IRLR024
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 70A（Tc） 75W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M6R6-30EX
  仓库库存编号：1727-2584-1-ND
  别名：1727-2584-1
  568-13028-1
  568-13028-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRLU024PBF
  仓库库存编号：IRLU024PBF-ND
  别名：*IRLU024PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SH8M13GZETB
  仓库库存编号：SH8M13GZETBCT-ND
  别名：SH8M13GZETBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），46A（Tc） 3.3W（Ta），56W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6690A
  仓库库存编号：FDD6690ACT-ND
  别名：FDD6690ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 30V 7A SOP8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SH8J65TB1
  仓库库存编号：SH8J65TB1CT-ND
  别名：SH8J65TB1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRLZ24LPBF
  仓库库存编号：IRLZ24LPBF-ND
  别名：*IRLZ24LPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLZ24PBF
  仓库库存编号：IRLZ24PBF-ND
  别名：*IRLZ24PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 60-V
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 37W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IRLIZ24GPBF
  仓库库存编号：IRLIZ24GPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD30N05-20L_GE3
  仓库库存编号：SQD30N05-20L_GE3-ND
  别名：SQD30N05-20L-GE3
  SQD30N05-20L-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR024TRLPBF
  仓库库存编号：IRLR024TRLPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ24SPBF
  仓库库存编号：IRLZ24SPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SP8J65TB1
  仓库库存编号：SP8J65TB1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLIZ24G
  仓库库存编号：IRLIZ24G-ND
  别名：*IRLIZ24G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR024TR
  仓库库存编号：IRLR024TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR024TRL
  仓库库存编号：IRLR024TRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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