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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRLU024
  仓库库存编号：IRLU024-ND
  别名：*IRLU024
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• EPC
  TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2030ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2030ENGR-ND
  别名：917-EPC2030ENGR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 40A（Tc） 75W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH1955L,115
  仓库库存编号：568-2174-1-ND
  别名：568-2174-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 17A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLZ24
  仓库库存编号：IRLZ24-ND
  别名：*IRLZ24
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 2.5A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRLD024
  仓库库存编号：IRLD024-ND
  别名：*IRLD024
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 48A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 48A（Ta） 52W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP6030L
  仓库库存编号：FDP6030L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR024TRR
  仓库库存编号：IRLR024TRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRLZ24L
  仓库库存编号：IRLZ24L-ND
  别名：*IRLZ24L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ24S
  仓库库存编号：IRLZ24S-ND
  别名：*IRLZ24S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ24STRL
  仓库库存编号：IRLZ24STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ24STRR
  仓库库存编号：IRLZ24STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-8 (2.9x1.5)
  
  型号：TPCF8101(TE85L,F,M
  仓库库存编号：TPCF8101(TE85LFMCT-ND
  别名：TPCF8101(TE85LFMCT
  TPCF8101FCT
  TPCF8101FCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 15.6A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD19N10LTF
  仓库库存编号：FQD19N10LTF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 19A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 19A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP19N10L
  仓库库存编号：FQP19N10L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 19A（Tc） 3.75W（Ta），75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB19N10LTM
  仓库库存编号：FQB19N10LTM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 13.6A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF19N10L
  仓库库存编号：FQPF19N10L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.6A 2.1W Surface Mount 18-BGA (2.5x4)
  
  型号：FDZ2553NZ
  仓库库存编号：FDZ2553NZ-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 48A（Ta） 52W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB6030L
  仓库库存编号：FDB6030L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta），46A（Tc） 3.3W（Ta），56W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6680
  仓库库存编号：FDD6680-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 48A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 48A（Ta） 52W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP6035AL
  仓库库存编号：FDP6035AL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 12A（Ta），46A（Tc） 3.3W（Ta），56W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：FDU6680
  仓库库存编号：FDU6680-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 12V 6A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 6A（Ta） 1.6W（Ta），20W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8105(TE12L,Q,M
  仓库库存编号：TPCA8105(TE12L,Q,M-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD35N05-26L-GE3
  仓库库存编号：SQD35N05-26L-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.5A 2.5W Surface Mount 6-FlipFet?
  
  型号：IRF6156
  仓库库存编号：IRF6156-ND
  别名：*IRF6156
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 15A（Ta），40A（Tc） 2.8W（Ta），60W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC072N025S G
  仓库库存编号：BSC072N025S G-ND
  别名：BSC072N025SGXT
  SP000095468
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 5V,
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