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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N100D2
  仓库库存编号：IXTH6N100D2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9606-75B,118
  仓库库存编号：1727-5260-1-ND
  别名：1727-5260-1
  568-6585-1
  568-6585-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 130A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 293W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN3R3-60PLQ
  仓库库存编号：1727-1058-ND
  别名：1727-1058
  568-10166-5
  568-10166-5-ND
  934067501127
  PSMN3R360PLQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 5V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK9506-75B,127
  仓库库存编号：568-6632-5-ND
  别名：568-6632
  568-6632-5
  568-6632-ND
  934057111127
  BUK9506-75B
  BUK9506-75B,127-ND
  BUK9506-75B-ND
  BUK950675B127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 293W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK963R3-60E,118
  仓库库存编号：1727-1099-1-ND
  别名：1727-1099-1
  568-10254-1
  568-10254-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 5V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA6N100D2
  仓库库存编号：IXTA6N100D2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4413ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4413ADY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4413ADY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 5V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP6N100D2
  仓库库存编号：IXTP6N100D2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK964R2-55B,118
  仓库库存编号：1727-5264-1-ND
  别名：1727-5264-1
  568-6589-1
  568-6589-1-ND
  BUK964R255B118
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4413ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4413ADY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK954R2-55B,127
  仓库库存编号：568-6635-5-ND
  别名：568-6635
  568-6635-5
  568-6635-ND
  934057092127
  BUK954R2-55B
  BUK954R2-55B,127-ND
  BUK954R2-55B-ND
  BUK954R255B127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 293W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK953R5-60E,127
  仓库库存编号：1727-7249-ND
  别名：1727-7249
  568-9864-5
  568-9864-5-ND
  934066476127
  BUK953R560E127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB153NQ08LT,118
  仓库库存编号：PHB153NQ08LT,118-ND
  别名：934058282118
  PHB153NQ08LT /T3
  PHB153NQ08LT /T3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 293W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK9E3R7-60E,127
  仓库库存编号：568-9874-5-ND
  别名：568-9874-5
  934066631127
  BUK9E3R760E127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 95nC @ 5V,
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