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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 80V 180A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） TO-220
  
  型号：STP270N8F7
  仓库库存编号：497-13654-5-ND
  别名：497-13654-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 193nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH275N8F7-2AG
  仓库库存编号：497-15473-1-ND
  别名：497-15473-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 193nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK-6
  
  型号：STH275N8F7-6AG
  仓库库存编号：497-15474-1-ND
  别名：497-15474-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 193nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH270N8F7-2
  仓库库存编号：497-13873-1-ND
  别名：497-13873-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 193nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH270N8F7-6
  仓库库存编号：497-13874-1-ND
  别名：497-13874-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 193nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 20A（Tc） 780W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX20N120P
  仓库库存编号：IXFX20N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 193nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 20A（Tc） 780W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK20N120P
  仓库库存编号：IXFK20N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 193nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 13A（Tc） 290W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR20N120P
  仓库库存编号：IXFR20N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 193nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 20A（Tc） 595W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN20N120P
  仓库库存编号：IXFN20N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 193nC @ 10V,
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