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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 13A(Ta) 1.7W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7366DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7366DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7366DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 3.7A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS1102PTAG
仓库库存编号:
NTLJS1102PTAG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 3.7A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS1102PTBG
仓库库存编号:
NTLJS1102PTBG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.1A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6981DQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6981DQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6981DQ-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3445DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3445DV-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.2A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5401DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5401DC-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.25W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6966EDQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6966EDQ-T1-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.25W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6966EDQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6966EDQ-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6969BDQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6969BDQ-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 13A(Ta) 1.7W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7368DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7368DP-T1-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 13A(Ta) 1.7W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7368DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7368DP-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3445DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3445DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3445DV-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
RJK0349DSP-01#J0
仓库库存编号:
RJK0349DSP-01#J0-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3A 1.4W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7309QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7309QTRPBFCT-ND
别名:IRF7309QTRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 28A S3
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 28A(Ta),125A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? S3C
型号:
IRF6892STR1PBF
仓库库存编号:
IRF6892STR1PBFCT-ND
别名:IRF6892STR1PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP034N03LGHKSA1
仓库库存编号:
IPP034N03LGHKSA1-ND
别名:SP000237660
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 4.5V,
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