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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG47N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHG47N65E-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 273nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),254A(Tc) 3.2W(Ta),156W(Tc) 8-Dual Cool?88
型号:
FDMT80080DC
仓库库存编号:
FDMT80080DCCT-ND
别名:FDMT80080DCCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 273nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 800V 42A 416W Chassis Mount SP4
型号:
APTC80A10SCTG
仓库库存编号:
APTC80A10SCTG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 273nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 650V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247AD
型号:
SIHW47N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHW47N65E-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 273nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 165W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S3L-05
仓库库存编号:
IPI80N06S3L-05IN-ND
别名:IPI80N06S3L-05-ND
IPI80N06S3L-05IN
IPI80N06S3L05X
IPI80N06S3L05XK
SP000102204
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 273nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 165W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S3L-05
仓库库存编号:
IPP80N06S3L-05IN-ND
别名:IPP80N06S3L-05-ND
IPP80N06S3L-05IN
IPP80N06S3L05X
IPP80N06S3L05XK
SP000102206
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 273nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 165W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S3L-05
仓库库存编号:
IPB80N06S3L-05INCT-ND
别名:IPB80N06S3L-05INCT
IPB80N06S3L05
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 273nC @ 10V,
无铅
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